GaN和GaAs器件偏置保护模块MABC-001000-DPS00L
GaN偏置控制器/时序模块
数据表
MABC-001000-DPS00L是一种低功耗偏置控制器，为被测器件提供合适的门极电压和脉冲漏压偏置。适用的DUT包括耗尽模式GaN(镓氮化物)或GaAs(砷化镓)功率放大器或HEMT器件。该模块还提供偏置排序，以便除非存在负栅极偏置电压，否则不能将脉冲漏极电压施加到DUT。本数据表的应用部分将展示如何为以下两个应用程序实现该模块：应用选项1：脉冲漏极偏置的固定负栅偏置。应用选项2：脉冲负栅偏置与脉冲漏极偏置。这两个应用选项将推荐外部电路和p沟道功率MOSFET.MABC-001000-DP000L模块也可以安装在MABC-001000-PB2PPR评估板上，用于评估、测试和定性。
特性
鲁棒的GaN保护在任何功率上/功率下降序列
重射频压缩栅偏置输出电流=50 mA
低功耗<100 MW
靶=500 ns总开关过渡时间
6.60x22.48mm2封装，1毫米螺距SMT引线
30 dB在所有I/O端口上的典型EMI/RFI抑制
外部MOSFET开关驱动的开路漏极输出电流=200 mA
带脉冲漏偏压的固定栅。附加模块允许门脉冲
符合RoHS*和260°C回流兼容
规范
正极电压：50
正极供电电流：14 mA
负供电电流：-3mA
包装
6.60x22.48mm2
包装类别
SMT
